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Theoretical analysis of the resistively-coupled single-electron transistor

机译:电阻耦合单电子的理论分析   晶体管

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摘要

The operation of resistively-coupled single-electron transistor (R-SET) isstudied quantitatively. Due to the Nyquist noise of the coupling resistance,degradation of the R-SET performance is considerable at temperatures $T$ assmall as $10^{-3} e^2/C$ (where $C$ is the junction capacitance) while thevoltage gain becomes impossible at $T\agt 10^{-2}e^2/C$.
机译:定量研究了电阻耦合单电子晶体管(R-SET)的操作。由于耦合电阻的奈奎斯特噪声,在温度$ T $低至$ 10 ^ {-3} e ^ 2 / C $(其中$ C $是结电容)的情况下,R-SET性能的下降相当大。 $ T \ agt 10 ^ {-2} e ^ 2 / C $时,增益变为不可能。

著录项

  • 作者

    Korotkov, A. N.;

  • 作者单位
  • 年度 1998
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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